[发明专利]基于纳米线技术的新型片上集成光耦有效

专利信息
申请号: 201610059114.2 申请日: 2016-01-28
公开(公告)号: CN105679853B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 杨国锋;张卿;汪金;钱维莹;陈国庆;陈健 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;H01L31/14;H01L31/153;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214122 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦,可以实现光耦在片上系统的集成。本发明主要结构分为发光部分、光波导部分和光敏部分,其特点是发光部分和光敏部分采用纳米线结构的LED和光敏二极管。发光部分的纳米线结构LED在外加电压下可以发光,光敏部分的纳米线结构光敏二极管可以探测到发光部分LED发光的有无,并转化为电流信号,光波导部分对发光部分LED发出的光具有较高透过率。该新型光耦可以通过微纳工艺制备,尺寸不大于100μm,使其具有可集成到片上系统的特点。
搜索关键词: 基于 纳米 技术 新型 集成
【主权项】:
一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦,其特征在于:由一个纳米线LED或多个纳米线LED组成的发光部分和一个或多个纳米线结构的光敏二极管组成的光敏部分以及光波导部分组成;其最大尺寸不大于100μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江南大学,未经江南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610059114.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top