[发明专利]基于纳米线技术的新型片上集成光耦有效
申请号: | 201610059114.2 | 申请日: | 2016-01-28 |
公开(公告)号: | CN105679853B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 杨国锋;张卿;汪金;钱维莹;陈国庆;陈健 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/14;H01L31/153;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214122 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦,可以实现光耦在片上系统的集成。本发明主要结构分为发光部分、光波导部分和光敏部分,其特点是发光部分和光敏部分采用纳米线结构的LED和光敏二极管。发光部分的纳米线结构LED在外加电压下可以发光,光敏部分的纳米线结构光敏二极管可以探测到发光部分LED发光的有无,并转化为电流信号,光波导部分对发光部分LED发出的光具有较高透过率。该新型光耦可以通过微纳工艺制备,尺寸不大于100μm,使其具有可集成到片上系统的特点。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 技术 新型 集成 | ||
【主权项】:
一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦,其特征在于:由一个纳米线LED或多个纳米线LED组成的发光部分和一个或多个纳米线结构的光敏二极管组成的光敏部分以及光波导部分组成;其最大尺寸不大于100μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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