[发明专利]基于纳米线技术的新型片上集成光耦

说明书

技术领域：

本发明属于微电子集成电路设计领域，具体涉及一种基于纳米线技术的片上可集成新型光耦。

背景技术：

片上系统指的是在单个芯片上集成一个完整的系统，对所有或部分必要的电子电路进行包分组的技术。所谓完整的系统一般包括中央处理器(CPU)、存储器、以及外围电路等。由于空前的高效集成性能，片上系统是替代集成电路的主要解决方案。片上系统已经成为当前微电子芯片发展的必然趋势。

光耦合器简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。光耦合器以光为媒介传输电信号，对输入、输出电信号有良好的隔离作用，在各种电路中得到广泛的应用。光耦是目前种类最多、用途最广的光电器件之一。

目前的片上系统设计中在需要对输入、输出电信号隔离时，仍然是通过外部光耦等独立器件实现的，不仅占用了集成芯片的引脚资源，对整体设计的集成化、小型化也十分不利。

利用纳米线技术，在硅片上实现光耦功能的同时，将光耦的尺寸缩小到微米级。具有这样结构的光耦可以被集成到片上系统中，在需要对输入、输出信号隔离的应用中，这种新型光耦可以极大简化外围电路，使系统集成度更高，更加小型化。

发明内容：

本发明要解决的技术问题是在硅片上制作微型光耦，要求该光耦尺寸不大于100μm，最主要的具有发光部分、光波导部分和光敏部分。发光部分在有适当外加电压时发光，否则不发光。发光部分发出的光可以很好的透过光波导部分。光敏部分可以探测由发光部分发出并通过光波导的光的有无。

为解决在同一硅片上制作微型光耦的尺寸要求，本发明通过制作纳米线发光二极管结构和纳米线光敏二极管结构，并通过SiN光波导将它们相连，可以使该光耦的最大尺寸不大于100微米。

为解决发光部分反映外加电压有无的问题，本发明发光部分是一个纳米线LED或多个纳米线LED并联，其是否发光完全依赖外加电压的有无。

为解决LED发出的光能够很好的被探测器接受，光波导部分采用SiN_x或SiO₂材料，使得LED发出的光能够很好的透过光波导。

为解决光敏部分可以探测光的有无的问题，本发明的光敏部分是具有一个或多个并联光敏二极管结构的纳米线，且置于波导之中，可以有效地降低外界环境对器件性能的影响。

LED发光时，以SiN_x或SiO₂材料作为光波导将纳米线LED和纳米线光敏二极管相连，可以使LED发出的光很好的透过光波导部分并被光敏二极管探测到。根据光敏二极管的响应光谱范围，适当调整LED发光的中心波长使得两者光谱匹配，提高光耦响应灵敏度。

附图说明

图1为常规制备GaN基纳米线LED的结构示意图；

图2为GaN基纳米线光敏二极管的结构示意图；

图3为基于纳米线技术的新型片上集成光耦示意图。

图中：1-蓝宝石衬底，2-AlN层，3-SiN_x掩膜层，4-n-GaN层，5-量子阱层，6-p-GaN层，7-InGaN势阱层，8-硅衬底，9-SiO₂层，10-n电极，11-p电极，12-SiN_x，13-SiO₂层，14-GaN基纳米线LED，15-GaN基纳米线光敏二极管。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的基于纳米线技术的新型片上集成光耦及其制作方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1为常规制备GaN基纳米线LED的结构示意图，所述结构包括衬底，优选的，蓝宝石衬底1，AlN层2，SiN_x掩膜层3，n-GaN层4，量子阱层5，p-GaN层6，标记GaN基纳米线LED为15，其发光光谱范围在400到800nm之间。

图2为GaN基纳米线光敏二极管的结构示意图，所述结构包括衬底，优选的，蓝宝石衬底1，AlN层2，SiN_x掩膜层3，n-GaN层4，InGaN势阱层7，p-GaN层6，标记GaN基纳米线光敏二极管为16，其光谱响应范围在400到800nm之间。