[发明专利]一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 201610057643.9 | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105676259B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 苏晓 | 申请（专利权）人： | 泉州市金太阳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市鲤城区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器，所述闪烁体探测器包括一导电硅基底，所述导电硅基底背表面设有栅电极，正表面设有栅绝缘层，所述栅绝缘层上设有单层二硫化钼，所述单层二硫化钼两端设有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极连接栅绝缘层；所述单层二硫化钼上设有闪烁体，所述闪烁体位于源电极和漏电极之间，所述闪烁体外包覆有保护层。本发明所述的基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器为光电晶体管并作为闪烁体探测器的光电转换器件，在单层二硫化钼上直接沉积闪烁体作为高能粒子接收体，具有灵敏度高，响度速度快，结构简单，成本低的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二硫化钼 晶体管 闪烁 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器的制作方法，其特征在于，所述闪烁体探测器包括一导电硅基底，所述导电硅基底背表面设有栅电极，正表面设有栅绝缘层，所述栅绝缘层上设有单层二硫化钼，所述单层二硫化钼两端设有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极连接栅绝缘层；所述单层二硫化钼上设有闪烁体，所述闪烁体位于源电极和漏电极之间，所述闪烁体外包覆有保护层；其制作方法包括如下：1)提供一硅基底，正表面热氧化形成一定厚度的SiO2层作为栅绝缘层，背表面蒸镀形成栅电极；2)在栅绝缘层上转移单层二硫化钼，利用光刻技术在单层二硫化钼两端形成源电极和漏电极的图案化，并蒸镀沉积形成源电极和漏电极；3)在单层二硫化钼上形成闪烁体，在闪烁体外蒸镀形成保护层，即得到基于二硫化钼的闪烁体探测器。
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