[发明专利]一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器的制作方法，其特征在于，所述闪烁体探测器包括一导电硅基底，所述导电硅基底背表面设有栅电极，正表面设有栅绝缘层，所述栅绝缘层上设有单层二硫化钼，所述单层二硫化钼两端设有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极连接栅绝缘层；所述单层二硫化钼上设有闪烁体，所述闪烁体位于源电极和漏电极之间，所述闪烁体外包覆有保护层；其制作方法包括如下：

1)提供一硅基底，正表面热氧化形成一定厚度的SiO₂层作为栅绝缘层，背表面蒸镀形成栅电极；

2)在栅绝缘层上转移单层二硫化钼，利用光刻技术在单层二硫化钼两端形成源电极和漏电极的图案化，并蒸镀沉积形成源电极和漏电极；

3)在单层二硫化钼上形成闪烁体，在闪烁体外蒸镀形成保护层，即得到基于二硫化钼的闪烁体探测器。

2.根据权利要求1所述的一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器的制作方法，其特征在于，所述导电硅基底为N型硅基底，其厚度为200nm-300nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器的制作方法，其特征在于，所述作为绝缘层的SiO₂层的厚度为60-120nm。

4.根据权利要求1所述的一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器的制作方法，其特征在于，所述栅电极采用电子束蒸发设备蒸镀形成的，其材料为Cu、Au、Ti、Al或者Ag中的至少一种，厚度为30-100nm。

5.根据权利要求1所述的一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器的制作方法，其特征在于，所述单层二硫化钼采用PMMA法转移至栅绝缘层上。

6.根据权利要求1所述的一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器的制作方法，其特征在于，所述源电极和漏电极的材料为Cu、Au、Ti、Al或者Ag中的至少一种，采用电子束蒸发设备蒸镀形成的，其厚度为50-100nm。

7.根据权利要求1所述的一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器的制作方法，其特征在于，所述闪烁体为CsI(Tl)、CsI(Na)、ZnS(Ag)或者NaI(Tl)，其在单层二硫化钼表面采用旋涂或者外延的方式形成。

8.根据权利要求1所述的一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器的制作方法，其特征在于，所述保护层的材料为Al、Ti或者Ag中的至少一种，采用电子束蒸发设备蒸镀形成的，其厚度为60-120nm。