[发明专利]一种提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法及自动捕获设备有效
| 申请号： | 201610056034.1 | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105603512B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王彪;朱允中;林少鹏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法，包括步骤：对晶体炉中盛放晶体材料的坩埚进行加热，使其以一定升温速率恒速升温至目标温度，所述目标温度高于晶体材料的熔点；获取升温过程中的坩埚温度随时间变化所形成的曲线，选取曲线中斜率最大的点对应的温度为下晶温度。本发明的提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法，仅通过简单的升温操作，即可利用升温过程中温度随时间变化曲线选取晶体下晶温度。本发明还提供了一种下晶温度自动捕获设备，通过下晶温度获取单元获取升温过程中温度随时间变化曲线，从而选取得到晶体下晶温度，排除人工经验对下晶操作的影响，并可准确判断新型晶体的下晶温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提拉法 晶体生长 温度 捕获 方法 自动 设备 | ||
【主权项】：
1.一种提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)对盛放晶体材料的坩埚进行加热，使其以一定升温速率恒速升温至目标温度，所述目标温度高于晶体材料的熔点；控制对所述坩埚加热的升温速率为3‑7℃/min；(2)获取升温过程中的坩埚温度随时间变化所形成的曲线，选取曲线中斜率最大的点对应的温度为下晶温度。
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