[发明专利]一种提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法及自动捕获设备

权利要求书

1.一种提拉法晶体生长的下晶温度捕获方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)对盛放晶体材料的坩埚进行加热，使其以一定升温速率恒速升温至目标温度，所述目标温度高于晶体材料的熔点；控制对所述坩埚加热的升温速率为3-7℃/min；

(2)获取升温过程中的坩埚温度随时间变化所形成的曲线，选取曲线中斜率最大的点对应的温度为下晶温度。

2.根据权利要求1所述的下晶温度捕获方法，其特征在于：所述目标温度高于晶体材料的熔点20℃或高于晶体材料预判熔点20℃。

3.根据权利要求2所述的下晶温度捕获方法，其特征在于：监测对坩埚加热的加热功率的随时间的变化，以控制坩埚升温速率。

4.根据权利要求2所述的下晶温度捕获方法，其特征在于：还包括步骤(3)，当坩埚温度达到目标温度时，保持坩埚恒定于目标温度，使晶体材料熔体组分混合均匀。

5.根据权利要求4所述的下晶温度捕获方法，其特征在于：步骤(3)中，当坩埚温度达到目标温度时，保持坩埚恒定于目标温度1小时。

6.根据权利要求5所述的下晶温度捕获方法，其特征在于：还包括步骤(4)，使坩埚温度降低至下晶温度，并恒定于下晶温度，进行下晶操作。

7.一种提拉法晶体生长的下晶温度自动捕获设备，其特征在于：包括炉体、坩埚、加热装置和下晶温度获取单元；所述坩埚设置于炉体的炉腔内；所述加热装置设置于所述炉腔内并对所述坩埚加热；所述下晶温度获取单元与加热装置电连接，其获得加热装置的实时加热温度，并绘制温度随时间变化的温度曲线，选取温度曲线中斜率最大的点对应的温度为下晶温度。

8.根据权利要求7所述的下晶温度自动捕获设备，其特征在于：所述下晶温度获取单元包括温度监测模块、温度曲线绘制模块和下晶温度选取模块；所述温度监测模块和温度曲线绘制模块分别与加热装置电连接；所述温度监测模块获得加热装置实时的温度并根据该当前温度控制该加热装置以一定的升温速率恒速升温至目标温度；所述温度曲线绘制模块根据温度监测模块获取的实时温度绘制加热装置温度随时间变化曲线；所述下晶温度选取模块根据温度曲线绘制模块获取的温度随时间变化曲线，选取变化曲线中斜率最大点对应的温度为下晶温度。

9.根据权利要求8所述的下晶温度自动捕获设备，其特征在于：所述下晶温度获取单元还包括一功率监测模块，所述功率监测模块与加热装置电连接，所述功率监测模块根据坩埚温度实时监控加热装置的加热功率。