[发明专利]用于监测水渍状缺陷的检测晶圆及检测方法有效
申请号: | 201610052577.6 | 申请日: | 2016-01-26 |
公开(公告)号: | CN105632961B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 徐涛;王卉;陈宏;曹子贵 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于监测水渍状缺陷的检测晶圆及检测方法,其中检测晶圆,包括晶圆;位于晶圆上的介质层;位于介质层中的若干钨金属插塞,钨金属插塞的表面与介质层的表面齐平。将本发明的检测晶圆对某一化学机械研磨机台设备进行监测时,当检测过程中如果有去离子水溅射到检测晶圆表面时,去离子水仍为液态,该溅射到检测晶圆表面的去离子水溶解钨金属插塞表面的钨盐,经过热板干燥、风干或自然干燥后,该去离子水经浓缩后在介质层区域形成含有钨盐的水渍状缺陷,通过缺陷检测设备可以检测到该水渍状缺陷,因而可以很快的判断该化学机械研磨机台是否存在问题,防止将在线产品在存在问题的化学机械研磨机台上进行相应的工艺,防止产生漏电现象或开路现象。 | ||
搜索关键词: | 用于 监测 水渍 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种进行水渍状缺陷的检测方法,所述检测方法用于检测化学机械研磨机台是否存在去离子水溅射的问题,其特征在于,包括:提供检测晶圆,所述检测晶圆包括:晶圆;位于晶圆上的介质层;位于介质层中的若干钨金属插塞,所述钨金属插塞的表面与介质层的表面齐平;在化学机械研磨机台上采用酸性溶液对检测晶圆的表面进行第一清洗;第一清洗后,采用去离子水对检测晶圆的表面进行第二清洗,第二清洗后钨金属插塞表面存在钨盐;第二清洗后,当去离子水再次溅射到检测晶圆表面时,所述溅射到检测晶圆表面的去离子水会溶解钨金属插塞表面的钨盐,在介质层区域形成含有钨盐的水渍状缺;第二清洗后,检测检测晶圆的表面介质层区域是否存在水渍状缺陷,若检测到水渍状缺陷,则化学机械研磨机台存在去离子水溅射的问题。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610052577.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:反应腔室
- 下一篇:一种金属载体的加工方法及封装基板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造