[发明专利]阵列基板及液晶显示装置在审
申请号: | 201610047658.7 | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN105572993A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 范广宝 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基及液晶显示装置。阵列基板包括呈阵列分布的多个低温多晶硅薄膜晶体管,低温多晶硅薄膜晶体管包括:基板及设置在基板同侧的低温多晶硅层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极、漏极、平坦层、第一透明导电层、第三绝缘层、第二透明导电层及连接金属层,低温多晶硅层、栅极、第二绝缘层依次层叠设置,源极及漏极设置在第二绝缘层上,并分别通过第二绝缘层上的第一贯孔与第二贯孔与连接低温多晶硅层相对的两端,平坦层、第一透明导电层、第三绝缘层及顶层导电层依次层叠设置,连接金属层通过第三绝缘层的第四贯孔连接第二透明导电层及漏极,其中,第一透明导电层为公共电极,第二透明导电层为像素电极。 | ||
搜索关键词: | 阵列 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括呈阵列分布的多个低温多晶硅薄膜晶体管,所述低温多晶硅薄膜晶体管包括:基板及设置在所述基板同侧的低温多晶硅层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极、漏极、平坦层、第一透明导电层、第三绝缘层、第二透明导电层及连接金属层,所述低温多晶硅层邻近所述基板的表面设置,所述第一绝缘层覆盖所述低温多晶硅层,所述栅极设置在所述第一绝缘层远离所述低温多晶硅层的表面,所述第二绝缘层覆盖所述栅极,且所述第二绝缘层开设第一贯孔及第二贯孔,所述源极及所述漏极设置在所述第二绝缘层上,且所述源极通过所述第一贯孔连接所述低温多晶硅层的一端,所述漏极通过所述第二贯孔连接所述低温多晶硅层的另一端,所述平坦层覆盖所述源极和所述漏极,且所述平坦层开设有对应所述漏极的第三贯孔,所述第一透明导电层设置在所述平坦层远离所述源极和所述漏极的表面,所述第三绝缘层覆盖所述第一透明导电层,且所述第三绝缘层填充所述第三贯孔,所述第三绝缘层开设有将所述漏极裸露的第四贯孔,所述第二透明导电层设置在所述第三绝缘层上,所述连接金属层通过所述第四贯孔连接所述第二透明导电层及所述漏极,其中,所述第一透明导电层为公共电极,所述第二透明导电层为像素电极。
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