[发明专利]阵列基板及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,LCD)是一种常见的电子设备，由于 其具有功耗低、体积小、重量轻等特点，因此备受用户的青睐。随着平面显示 技术的发展，具有高分辨率、低能耗的液晶显示器的需求被提出。非晶硅的电 子迁移率较低，而低温多晶硅(LowTemperaturePloy-silicon，LTPS)可以在 低温下制作，且拥有比非晶硅更高的电子迁移率。其次，低温多晶硅制作的互 补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)器 件可应用于使液晶显示器具有更高的分辨率和低能耗。因此，低温多晶硅得到 了广泛地应用和研究。LTPS阵列基板包括呈阵列分布的多个低温多晶硅薄膜晶 体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括漏极、绝缘层以及像素电极，绝缘层上 开设有贯孔以将漏极裸露出来，像素电极通过贯孔与漏极相连。由于LTPS阵列 基板结构复杂，在制备的时候会出现绝缘层上的贯孔开孔不完全的异常，从而 导致漏极对像素电极的充电不能正常进行，从而影响了液晶显示装置的良率。

发明内容

本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括呈阵列分布的多个低温多晶 硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：基板及设置在所述基板同侧 的低温多晶硅层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、源极、漏极、平坦层、第 一透明导电层、第三绝缘层、第二透明导电层及连接金属层，所述低温多晶硅 层邻近所述基板的表面设置，所述第一绝缘层覆盖所述低温多晶硅层，所述栅 极设置在所述第一绝缘层远离所述低温多晶硅层的表面，所述第二绝缘层覆盖 所述栅极，且所述第二绝缘层开设第一贯孔及第二贯孔，所述源极及所述漏极 设置在所述第二绝缘层上，且所述源极通过所述第一贯孔连接所述低温多晶硅 层的一端，所述漏极通过所述第二贯孔连接所述低温多晶硅层的另一端，所述 平坦层覆盖所述源极和所述漏极，且所述平坦层开设有对应所述漏极的第三贯 孔，所述第一透明导电层设置在所述平坦层远离所述源极和所述漏极的表面， 所述第三绝缘层覆盖所述第一透明导电层，且所述第三绝缘层填充所述第三贯 孔，所述第三绝缘层开设有将所述漏极裸露的第四贯孔，所述第二透明导电层 设置在所述第三绝缘层上，所述连接金属层通过所述第四贯孔连接所述第二透 明导电层及所述漏极，其中，所述第一透明导电层为公共电极，所述第二透明 导电层为像素电极。

其中，所述连接金属层包括钨。

其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括遮光层，所述遮光层设置于所述 基板的表面，且所述低温多晶硅层、所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝 缘层、所述源极、漏极、所述平坦层、所述第一透明导电层、所述第三绝缘层、 所述第二透明导电层及所述连接金属层通过所述遮光层设置在所述基板的同侧， 且所述遮光层对应所述低温多晶硅层设置。

其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮 光层，所述低温多晶硅层、所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层、所 述源极、漏极、所述平坦层、所述第一透明导电层、所述第三绝缘层、所述第 二透明导电层及所述连接金属层通过所述缓冲层及所述遮光层设置在所述基板 的表面。

其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆 接触层连接所述源极与所述低温多晶硅层，所述第一欧姆接触层用于降低所述 源极与所述低温多晶硅层之间的接触电阻。

其中，所述第一欧姆接触层包括第一轻掺杂区及第一重掺杂区，所述第一 轻掺杂区与所述低温多晶硅层接触，所述第一重掺杂区设置在所述源极与所述 第一轻掺杂区之间，且所述第一重掺杂区连接所述源极与所述第一轻掺杂区， 其中，所述第一轻掺杂区的掺杂浓度小于所述第一重掺杂区的掺杂浓度。

其中，所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆 接触层连接所述漏极与所述低温多晶硅层，所述第二欧姆接触层用于降低所述 漏极与所述低温多晶硅层之间的接触电阻。

其中，所述第二欧姆接触层包括第二轻掺杂区及第二重掺杂区，所述第二 轻掺杂区与所述低温多晶硅层接触，所述第二重掺杂区设置在所述漏极与所述 第二轻掺杂区之间，且所述第二重掺杂区连接所述漏极与所述第二轻掺杂区， 其中，所述第二轻掺杂区的掺杂浓度小于所述第二重掺杂区的掺杂浓度。