[发明专利]用于块材鳍式场效晶体管结构的无植入物冲穿掺杂层形成

摘要

本发明涉及一种用于块材鳍式场效晶体管结构的无植入物冲穿掺杂层形成。使用经掺杂氧化物，在块材鳍式场效晶体管结构中形成冲穿终止层。通过退火，驱使掺质进入衬底及晶鳍的基座部分。冲穿终止层包括p型区反n型区，这两区都可实质等距离伸入半导体晶鳍。

主权项

1.一种制造半导体结构的方法，其包含：获得结构，其包括：半导体衬底，其具有nFET区及pFET区，多个平行半导体晶鳍，其延展自该衬底，多条通道，其隔开所述多个平行半导体晶鳍，p掺杂氧化物层，其部分填充所述通道的一或多个，并且直接接触该衬底的该nFET区以及该nFET区中所述多个平行半导体晶鳍的一或多个，n掺杂氧化物层，其部分填充所述通道的一或多个，并且直接接触该衬底的该pFET区以及该pFET区中所述多个平行半导体晶鳍的一或多个，以及未掺杂介电层，其填充该多条通道，并且上覆该p掺杂氧化物层及该n掺杂氧化物层；退火该结构以形成冲穿终止层，该退火该结构的步骤造成p型掺质受到驱使，自该p掺杂氧化物层进入该nFET区中所述多个平行半导体晶鳍的一或多个、并进入该衬底的该nFET区，并且造成n型掺质受到驱使，自该n掺杂氧化物层进入该pFET区中所述多个平行半导体晶鳍的一或多个、并进入该衬底的该pFET区，以及退火该结构后，移除至少部分该未掺杂介电层，从而曝露所述多个平行半导体晶鳍的侧壁。