[发明专利]光检测装置

摘要

半导体光检测元件(10)包含多个雪崩光电二极管(APD)，其以盖革模式动作并且形成在半导体基板(1N)内；灭弧电阻(R1)，其相对于各个雪崩光电二极管(APD)串联连接并且配置在半导体基板(1N)的主面(1Na)侧；以及多个贯通电极(TE)，其与灭弧电阻(R1)电连接且从主面(1Na)侧至主面(1Nb)侧为止贯通半导体基板(1N)而形成。搭载基板(20)包含对应于每个贯通电极(TE)而配置在主面(20a)侧的多个电极(E9)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸点电极(BE)而电连接，且半导体基板(1N)的侧面(1Nc)与玻璃基板(30)的侧面(30c)成为同一平面。

主权项

一种半导体光检测元件，其特征在于，是具有包含相互相对的第一及第二主面的半导体基板的半导体光检测元件，所述半导体光检测元件包含：以盖革模式动作并且形成于所述半导体基板内的多个雪崩光电二极管；相对于各所述雪崩光电二极管串联连接并且配置于所述半导体基板的第一主面侧的灭弧电阻；与所述灭弧电阻电连接且自所述第一主面侧至所述第二主面侧为止贯通所述半导体基板的多个贯通电极；及电连接于所述贯通电极且配置于所述半导体基板的所述第二主面侧的凸点电极，在所述多个贯通电极的各个贯通电极，电连接有多个所述灭弧电阻，通过了所述灭弧电阻及所述贯通电极的、从各所述雪崩光电二极管到凸点电极的配线距离同等，光从所述第一主面入射到所述半导体基板。