[发明专利]一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法在审
| 申请号： | 201610044785.1 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105668506A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 张保平;杨文;龙浩 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，涉及半导体MEMS器件。包括以下步骤：将(001)面硅片清洗后，用BOE去除表面的氧化层，在(001)面硅片表面生长一层SiO2薄膜作为掩膜；光刻显影出沿(110)晶向的长方形和正方形图形，再后烘；把硅片放入BOE中去除没有光刻胶保护的部分SiO2掩膜；去除光刻胶；把样品放入KOH溶液中进行腐蚀；将腐蚀好的硅片放入硫酸和双氧水溶液中，反应后用水冲洗，即在001面硅片上腐蚀出111硅面。可克服低浓度KOH导致的腐蚀表面粗糙，还可克服高浓度KOH腐蚀率的慢的不利因素，且可以忽略侧向腐蚀，有效缩短工艺周期，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 001 硅片 腐蚀 111 方法 | ||
【主权项】：
一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将(001)面硅片清洗后，用BOE去除表面的氧化层，在(001)面硅片表面生长一层SiO2薄膜作为掩膜；2)光刻显影出沿(110)晶向的长方形和正方形图形，再后烘；3)把硅片放入BOE中去除没有光刻胶保护的部分SiO2掩膜；4)去除光刻胶；5)把样品放入KOH溶液中进行腐蚀；6)将腐蚀好的硅片放入硫酸和双氧水溶液中，反应后用水冲洗，即在001面硅片上腐蚀出111硅面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610044785.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MEMS芯片的封装结构及封装方法
- 下一篇：一种船用手动吊杆
