[发明专利]一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法

权利要求书

1.一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将(001)面硅片清洗后，用BOE去除表面的氧化层，在(001)面硅片表面生长一 层SiO₂薄膜作为掩膜；

2)光刻显影出沿(110)晶向的长方形和正方形图形，再后烘；

3)把硅片放入BOE中去除没有光刻胶保护的部分SiO₂掩膜；

4)去除光刻胶；

5)把样品放入KOH溶液中进行腐蚀；

6)将腐蚀好的硅片放入硫酸和双氧水溶液中，反应后用水冲洗，即在001面硅片上腐蚀 出111硅面。

2.如权利要求1所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，其特征在于在步骤1) 中，所述清洗是用体积比为3∶1的硫酸和双氧水清洗。

3.如权利要求1所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，其特征在于在步骤1) 中，所述生长一层SiO₂薄膜采用干氧氧化(001)硅片的方法。

4.如权利要求1所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，其特征在于在步骤2) 中，所述光刻所用的光刻胶采用正性光刻胶，所述光刻的工艺过程包括匀胶、前烘、曝光、 显影。

5.如权利要求1所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，其特征在于在步骤4) 中，所述去除光刻胶的方法是将硅片放入用体积比为3∶1的硫酸和双氧水配制的溶液煮沸 15min，去除表面的光刻胶，再用去离子水去离子冲洗干净并吹干。

6.如权利要求1所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，其特征在于在步骤5) 中，所述KOH溶液中添加异丙醇。

7.如权利要求6所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，其特征在于所述KOH 的质量百分浓度为20％～30％，异丙醇的质量百分浓度为5％～10％。

8.如权利要求1所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，其特征在于在步骤5) 中，所述腐蚀采用超声装置。

9.如权利要求1所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，其特征在于在步骤6) 中，所述硫酸和双氧水的体积比为3∶1。

10.如权利要求1所述一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，其特征在于在步骤 6)中，所述用水冲洗采用去离子水冲洗。