[发明专利]一种模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法

摘要

本发明提供一种模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法，包括：高能粒子射入处于关态的MOS管的沟道区，电离出的大量的电子空穴对在电场的作用下形成瞬态电流脉冲，分析电子空穴对在体漏形成的反偏PN结空间电荷区的漂移过程，建立初步的节点电压恒定不变的漂移电流解析模型I(t)＝I₀·(e^‑αt‑e^‑βt)；通过解析计算得到脉冲峰值I₀的表达式；加入描述节点电压变化的模型表征节点电压和瞬态电流之间的关系，所述单粒子瞬态电流脉冲的电流源模型为：本发明的模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法建立的单粒子瞬态电流脉冲的电流源模型能准确拟合单粒子瞬态脉冲的长尾效应，对抗辐射电路的加固设计具有重要参考意义。

主权项

1.一种模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法，其特征在于，所述模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法至少包括：S1：高能粒子入射处于关态的MOS管沟道区，电离出大量的电子空穴对，分析电子空穴对在体端和漏端之间形成的反偏PN结空间电荷区的漂移过程，并建立节点电压恒定不变的漂移电流解析模型I(t)＝I0·(e‑αt‑e‑βt)；S2：由入射粒子的线性能量传输值，Si的掺杂浓度，通过解析计算得到脉冲峰值I0的表达式；S3：考虑到单边突变结沟道一侧空间电荷区的宽度X_p随节点电压变化而变化，加入描述节点电压变化的模型表征节点电压和瞬态电流之间的关系，则所述单粒子瞬态电流脉冲的电流源模型为：其中，I0为脉冲峰值电流；1/α为电荷收集的时间常数；1/β为初始化建立粒子轨迹的时间常数，V(t)为节点电压，Vd为内建电势差，γ为矫正因子。