[发明专利]电压参考电路及其工作方法有效
申请号: | 201610038740.3 | 申请日: | 2016-01-20 |
公开(公告)号: | CN105843322B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 进谷本 | 申请(专利权)人: | 代罗半导体有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 英国瑞汀雷丁绿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种电压参考电路及其工作方法,电压参考电路利用一对MOSFET之间的临界电压差,电压参考电路位于一电源及一接地点之间,用以产生一参考电压。电压参考电路包含一第一电流镜、一第二电流镜、一电流源、一放大器和一回授电路,该第一电流镜包括一第一NMOS晶体管及一第二NMOS晶体管,其中第一NMOS晶体管的临界电压不等于第二NMOS晶体管的临界电压,该第二电流镜具有一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管及一第三PMOS晶体管,该第一PMOS晶体管、该第二PMOS晶体管及该第三PMOS晶体管均与电源耦接,该放大器包括一第一输入端及一第二输入端,该第一输入端和该第二输入端分别电性连接至第一NMOS晶体管的汲极及第二NMOS晶体管的汲极,该回授电路与放大器的输出端连接。 | ||
搜索关键词: | 电压 参考 电路 及其 工作 方法 | ||
【主权项】:
一种电压参考电路,该电压参考电路位于一电源与一接地点之间,用于产生一参考电压,其特征在于,包含:一第一电流镜,其包括一第一NMOS晶体管及一第二NMOS晶体管,其中该第一NMOS晶体管的临界电压不等于该第二NMOS晶体管的临界电压;一第二电流镜,其包括一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管及一第三PMOS晶体管,该第一PMOS晶体管、该第二PMOS晶体管及该第三PMOS晶体管均与该电源耦接,其中该第一PMOS晶体管耦接至该第二PMOS晶体管的闸极及该第三PMOS晶体管,该第二PMOS晶体管的汲极与该第三PMOS晶体管的汲极耦接至该第一NMOS晶体管的汲极及该第二NMOS晶体管的汲极;一电流源,其用于提供电流至该第二电流镜;一放大器,其包括一第一输入端及一第二输入端,该第一输入端和该第二输入端分别电性连接至该第一NMOS晶体管的汲极和该第二NMOS晶体管的汲极;及一回授电路,其与该放大器的输出端连接。
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