[发明专利]一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器在审
| 申请号： | 201610037433.3 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105552226A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 郭小军;唐伟;陈苏杰;赵家庆 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 祖志翔 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其器件工作电压低于5V且无电学迟滞效应，包括衬底、源电极、漏电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极，所述栅介质层具有大电容值且对温度敏感，其电容大于100nF/cm2，该栅介质层由具有低介电常数的第一介质层和具有高介电常数的第二介质层叠加而成，其中第一介质层紧邻有机半导体层，并且置于该有机半导体层与第二介质层之间，第二介质层置于栅电极与第一介质层之间。本发明工作时操作电压低，便于与光伏电池、纸电池、无线电波等电源系统集成，具有响应快、功耗小、柔韧性好、可大面积加工、制造成本低、产品周期短等优点，尤其在电子皮肤领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 有机 薄膜晶体管 温度传感器 | ||
【主权项】：
一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其特征在于，所述温度传感器的器件工作电压低于5V且无电学迟滞效应，包括衬底、源电极、漏电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极，所述栅介质层具有大电容值且对温度敏感，该栅介质层的电容大于100nF/cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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