[发明专利]一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器

权利要求书

1.一种基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其特征在于，所述温度传感器的器件工作电 压低于5V且无电学迟滞效应，包括衬底、源电极、漏电极、有机半导体层、栅介质层和栅 电极，所述栅介质层具有大电容值且对温度敏感，该栅介质层的电容大于100nF/cm²。

2.根据权利要求1所述的基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其特征在于，所述的栅介 质层由具有低介电常数的第一介质层和具有高介电常数的第二介质层叠加而成，所述第一介 质层紧邻所述有机半导体层，并且置于该有机半导体层与所述第二介质层之间，所述第二介 质层置于所述栅电极与所述第一介质层之间。

3.根据权利要求2所述的基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其特征在于，所述的第一 介质层的介电常数小于3。

4.根据权利要求2所述的基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其特征在于，所述的第二 介质层常温下的介电常数高于55，且在一定温度范围内具有介电常数对温度敏感的特性。

5.根据权利要求2所述的基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其特征在于，所述的第二 介质层为弛豫铁电聚合物材料，在一定温度范围内没有铁电效应。

6.根据权利要求1所述的基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其特征在于，所述的有机 薄膜晶体管既是开关器件，又是温度信号转换器。

7.根据权利要求1所述的基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其特征在于，所述的温度 传感器采用顶栅底接触型结构，自下而上依次第一层为所述衬底，第二层为所述源电极和漏 电极，第三层为置于所述源电极与漏电极之间的所述有机半导体层，第四层为栅介质层，第 五层为所述栅电极。

8.根据权利要求1所述的基于有机薄膜晶体管的温度传感器，其特征在于，所述的温度 传感器采用底栅底接触型结构，自下而上依次第一层为所述衬底，第二层为所述栅电极，第 三层为栅介质层，第四层为所述源电极和漏电极，第五层为置于所述源电极与漏电极之间的 所述有机半导体层。

9.一种权利要求8所述基于有机薄膜晶体管的温度传感器的制备方法，其特征在于，采 用溶液法加工，包括：在所述衬底上打印出所述栅电极，再依次沉积出第二介质层和第一介 质层构成所述栅介质层，之后在所述第一介质层上分别打印出所述源电极和漏电极，最后在 所述源电极与漏电极之间沉积形成有机半导体层。

10.一种权利要求7所述基于有机薄膜晶体管的温度传感器的制备方法，其特征在于， 在所述衬底上制作所述源电极和漏电极，在所述源电极与漏电极之间沉积形成所述有机半导 体层，再在该有机半导体层上依次沉积出第一介质层和第二介质层构成所述栅介质层，最后 在所述第二介质层上沉积所述栅电极。