[发明专利]具有局部电流吸收器的存储器装置在审
| 申请号： | 201610035201.4 | 申请日： | 2011-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN105719700A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 金正丕;哈里·M·拉奥 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02;G11C29/12;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有局部电流吸收器的存储器装置。本发明揭示一种具有局部电流吸收器的存储器装置。在特定实施例中，揭示一种电子装置。所述电子装置包含一个或一个以上写入驱动器。所述电子装置包含至少一个磁性隧道结MTJ，其耦合到位线且耦合到源极线。所述电子装置还包含电流吸收器电路，所述电流吸收器电路包括单个晶体管，所述单个晶体管耦合到所述位线且耦合到所述源极线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 局部 电流 吸收 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：在耦合到位线且耦合到源极线的磁性隧道结MTJ处起始第一写入操作，其中所述第一写入操作将第一电压施加到所述源极线以在所述MTJ处存储第一数据值，且其中所述第一写入操作具有第一放电路径，所述第一放电路径是从所述MTJ经由写入驱动器到接地的电流路径和从所述MTJ经由电流吸收器电路到接地的电流路径中的较短者；在所述MTJ处起始第二写入操作，其中所述第二写入操作将第二电压施加到所述位线以在所述MTJ处存储第二数据值，且其中所述第二写入操作具有从所述MTJ经由所述写入驱动器到接地的第二放电路径。
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