[发明专利]一种SOI器件的脉冲激光等效LET值计算方法有效
| 申请号： | 201610034203.1 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105548770B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 余永涛 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘桂生;向群 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种脉冲激光等效LET值计算方法，包括以下步骤：在去除SOI器件硅衬底之后，对SOI器件进行辐照扫描，得到SOI器件发生单粒子效应的入射激光能量；根据空气、埋氧层和硅的折射率、激光从空气到埋氧层的反射和透射系数、从埋氧层到空气的反射透射系数、从埋氧层到硅的反射和透射系数以及从硅到埋氧层的反射和透射系数，计算激光穿过SOI器件的埋氧层的能量透射率；根据到达灵敏区时的激光光斑半径和灵敏区的横向尺寸计算光斑影响参数；根据所述入射激光能量、能量透射率和光斑影响参数确定脉冲激光等效LET值。所述方法能够快速、低成本、更为准确地获得器件单粒子效应敏感度的关键指标LET值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 器件 脉冲 激光 等效 let 计算方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI器件的脉冲激光等效LET值计算方法，其特征在于，包括以下步骤：在去除SOI器件硅衬底之后，对SOI器件进行辐照扫描，得到SOI器件发生单粒子效应的入射激光能量；根据空气、埋氧层和硅的折射率、激光从空气到埋氧层的反射和透射系数、从埋氧层到空气的反射和透射系数、从埋氧层到硅的反射和透射系数以及从硅到埋氧层的反射和透射系数，计算激光穿过SOI器件的埋氧层的能量透射率；根据到达灵敏区时的激光光斑半径和灵敏区的横向尺寸计算光斑影响参数；根据所述入射激光能量、能量透射率和光斑影响参数确定脉冲激光等效LET值。
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