[发明专利]薄膜晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201610029742.6 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105428244A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 胡典禄;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制备方法，包括在半导体层上形成栅极金属层，在所述栅极金属层上形成光刻胶层，通过构图工艺，使所述栅极金属层形成伪栅极；以所述伪栅极为掩膜，对所述半导体层进行重掺杂离子注入工艺，形成源极重掺杂区及漏极重掺杂区；对所述伪栅极上的所述光刻胶层进行灰化处理，以使所述光刻胶层的尺寸与待形成的栅极尺寸相同，刻蚀所述伪栅极上未被所述光刻胶层覆盖的区域，形成栅极；以所述栅极为掩膜，对所述半导体层进行轻掺杂离子注入工艺，形成源极轻掺杂区及漏极轻掺杂区。上述薄膜晶体管的制备方法，只需要一次图形化工艺即可实现源漏极重掺杂区、栅极、源漏极轻掺杂区的制作，相比于常规工艺可以减少工艺成本，缩短工艺时间。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在半导体层上形成栅极金属层，并且，在形成栅极金属层之后，还包括如下步骤：在所述栅极金属层上形成光刻胶层，通过构图工艺，使所述栅极金属层形成伪栅极；以所述伪栅极为掩膜，对所述半导体层进行重掺杂离子注入工艺，形成源极重掺杂区及漏极重掺杂区；对所述伪栅极上的所述光刻胶层进行灰化处理，以使所述光刻胶层的尺寸与待形成的栅极尺寸相同，刻蚀所述伪栅极上未被所述光刻胶层覆盖的区域，形成栅极；以所述栅极为掩膜，对所述半导体层进行轻掺杂离子注入工艺，形成源极轻掺杂区及漏极轻掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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