[发明专利]多层铜互连布线结构的检测方法有效
| 申请号： | 201610029701.7 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105699875B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 林晓玲;章晓文;梁朝辉 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑彤 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多层铜互连布线结构的检测方法，包括如下步骤：采用开封方法获取多层铜互连布线结构的裸芯片；清除所述裸芯片表面的残留物；采用反应离子蚀刻法去除所述裸芯片表面的保护膜；采用热熔蜡将去除保护膜后的芯片固定于研磨抛光夹具；根据失效分析的结果，对所述芯片的缺陷区域进行平行抛光剥层操作；利用显微观察监测平行抛光进度直至达到目标层。本发明的多层铜互连布线结构的检测方法，可实现芯片中多层铜互连布线结构的逐层去除，实现密集多层铜互连布线结构中各层次形貌的平面观察，对多层铜互连布线结构芯片的失效机理确认、提高集成电路的使用可靠性有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 互连 布线 结构 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层铜互连布线结构的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：采用开封方法获取多层铜互连布线结构的裸芯片；清除所述裸芯片表面的残留物；采用反应离子蚀刻法去除所述裸芯片表面的保护膜；采用热熔蜡将去除保护膜后的裸芯片固定于研磨抛光夹具；根据失效分析的结果，对所述裸芯片的缺陷区域进行平行抛光剥层操作，所述平行抛光剥层的工艺参数为：采用氧化硅悬浮液作为抛光液，所述氧化硅悬浮液中氧化硅粒子的粒径为0.03‑0.05μm，所述氧化硅悬浮液的滴加速率为0.3‑0.8滴/秒；利用显微观察监测平行抛光进度直至达到目标层。
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