[发明专利]多层铜互连布线结构的检测方法

权利要求书

1.一种多层铜互连布线结构的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用开封方法获取多层铜互连布线结构的裸芯片；

清除所述裸芯片表面的残留物；

采用反应离子蚀刻法去除所述裸芯片表面的保护膜；

采用热熔蜡将去除保护膜后的裸芯片固定于研磨抛光夹具；

根据失效分析的结果，对所述裸芯片的缺陷区域进行平行抛光剥层操作，所述平行抛光剥层的工艺参数为：采用氧化硅悬浮液作为抛光液，所述氧化硅悬浮液中氧化硅粒子的粒径为0.03-0.05μm，所述氧化硅悬浮液的滴加速率为0.3-0.8滴/秒；

利用显微观察监测平行抛光进度直至达到目标层。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述多层铜互连布线结构的厚度为5-30μm，所述多层铜互连布线结构中各金属层的厚度为0.1-5μm。

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述反应离子蚀刻法的工艺参数为：反应气为CF₄和O₂；反应气流量：CF₄流量为40-50ml/min，O₂流量为10-20ml/min；真空度为120-170mTorr；射频输出功率为180-220w；反应离子刻蚀功率130-170w；腐蚀时间为10-15min。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述热熔蜡固定芯片的工艺参数为：将所述研磨抛光夹具加热至170-180℃，然后将热熔蜡置于夹具上，熔融后将芯片置于热熔蜡中，最后冷却至室温。

5.根据权利要求1-4任一项所述的检测方法，其特征在于，在采用反应离子蚀刻法去除所述裸芯片表面的保护膜之前，还包括如下步骤：

将多层铜互连布线结构的裸芯片采用聚焦离子束制作纵向截面，获取所述裸芯片的多层铜互连布线结构的截面参数，所述截面参数包括所述裸芯片中的金属层数及其厚度。

6.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于，所述采用聚焦离子束制作纵向截面的步骤为：6.0-7.0nA束流初始剖切，挖出阶梯式的剖面；1.0-2.0nA束流精细加工处理剖面；25-30pA束流抛光处理获得清晰的剖面形貌。

7.根据权利要求1-4任一项所述的检测方法，其特征在于，所述显微观察包括金相显微观察和/或扫描电子显微观察。

8.根据权利要求1-4任一项所述的检测方法，其特征在于，所述保护膜为聚酰亚胺。