[发明专利]一种基于白光LED用InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于白光LED用InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点及其制备方法。制备绿色发光的InP/ZnS量子点和橙红色发光的CIS/ZnS量子点混合荧光粉作为荧光层，选取蓝光芯片作为激发光源调制成白光LED。其结构为：散热底座(1)，取光透镜(2)，电极(3)，金线(4)，硅胶(5)，InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点混合荧光粉的硅胶层(6)，峰值波长在440-480nm蓝光芯片(7)。本发明所用的荧光材料毒性低，成本低，合成的白光LED结构简单，解决了目前LED技术中显色性差、色域较窄、稳定性差等缺点，具有很好的发展前景。

主权项

一种基于白光LED用InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点及其制备方法，其特征在于基于InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点制备方法如下：步骤一、将InCl₃、ZnO、油胺(OLA)，在氩气环境下加热至280℃搅拌5min，然后降温至190℃，再加入(P(N(CH₃)₂)₃)反应5min，将上述溶液升温至200℃，注入十二硫醇DDT溶液，反应7h，将所得到的产物沉淀，提纯，在真空中蒸发，最终得到InP/ZnS量子点；步骤二、将CuI、In(Ac)₃和十八碳烯ODE在氩气环境下加热至230℃搅拌10min，再加入十二硫醇DDT溶液，反应5min；将上述溶液降温至190℃，注入醋酸锌Zn(Ac)₂、油酸、十二硫醇DDT、十八碳烯ODE，再升温至230℃反应2h，将所得到的产物沉淀，提纯，在真空中蒸发，最终得到CIS/ZnS量子点。步骤三、将上述制备的InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点混合荧光层(6)涂在蓝光芯片(7)上，然后将芯片固定在散热衬底上(1)上；步骤四、填充硅胶(5)，使电极(3)、芯片(7)通过金线(4)连接，覆盖在散热衬底(1)上，在硅胶(5)外面放置取光透镜(2)。