[发明专利]一种基于白光LED用InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 201610028124.X | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105576106A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘泽旭;沈常宇;魏健;包立峰 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/00;C09K11/54;C09K11/56;C09K11/62;C09K11/88 |
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| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 白光 led inp zns 量子 cis 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于白光LED用InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点及其制备方法，其特征在于基于 InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点制备方法如下：
步骤一、将InCl3、ZnO、油胺(OLA)，在氩气环境下加热至280℃搅拌5min，然后降温至 190℃，再加入(P(N(CH3)2)3)反应5min，将上述溶液升温至200℃，注入十二硫醇DDT溶液， 反应7h，将所得到的产物沉淀，提纯，在真空中蒸发，最终得到InP/ZnS量子点；
步骤二、将CuI、In(Ac)3和十八碳烯ODE在氩气环境下加热至230℃搅拌10min，再加入十 二硫醇DDT溶液，反应5min；将上述溶液降温至190℃，注入醋酸锌Zn(Ac)2、油酸、十二硫 醇DDT、十八碳烯ODE，再升温至230℃反应2h，将所得到的产物沉淀，提纯，在真空中蒸 发，最终得到CIS/ZnS量子点。
步骤三、将上述制备的InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点混合荧光层(6)涂在蓝光芯片(7) 上，然后将芯片固定在散热衬底上(1)上；
步骤四、填充硅胶(5)，使电极(3)、芯片(7)通过金线(4)连接，覆盖在散热衬底(1) 上，在硅胶(5)外面放置取光透镜(2)。
2.根据权利要求1所述的一种基于白光LED用InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点及其制备方 法，其特征在于所述的蓝光芯片发射峰值为440-480nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于白光LED用InP/ZnS量子点和CIS/ZnS量子点及其制备方 法，其特征在于所述的量子点按比例混合与硅胶中量子点与硅胶的混合比例为10∶90-50∶50。
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