[发明专利]一种面阵巨磁阻磁传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种面阵巨磁阻磁传感器及其制造方法，包括数据采集处理单元和巨磁阻阵列。数据采集处理单元包括电源模块、地址选择器、模拟前端和模数转换器；电源模块通过地址选择器连接至巨磁阻阵列，巨磁阻阵列经过模拟前端模块连接至模数转换器，巨磁阻阵列包括256个采用纳米多层膜结构的蜿蜒型电阻形式的巨磁阻磁传感器，组成16*16面阵形式的巨磁阻阵列。本发明基于标准CMOS集成电路工艺，先对外部的数据采集处理单元电路进行单独加工，外部电路加工完成后，再通过两步光刻处理加工所述巨磁阻阵列。本发明的面阵巨磁阻磁传感器可以实现精确的平面磁场高速同步检测，并且小型化、集成化程度高，产品工艺兼容、便于批量生产。

主权项

一种面阵巨磁阻磁传感器，其特征在于：包括数据采集处理单元和巨磁阻阵列，所述数据采集处理单元包括电源模块、地址选择器、模拟前端和模数转换器；所述电源模块通过地址选择器连接至所述巨磁阻阵列，所述巨磁阻阵列经过模拟前端模块连接至模数转换器，所述地址选择器用于选择发送所述巨磁阻阵列中各单元的信号，所述模拟前端模块用于接收所述信号进行放大、滤波处理，所述模数转换器用于将所述信号经过模数转换后输出；所述巨磁阻阵列包括多个采用纳米多层膜结构的巨磁阻磁传感器，多个巨磁阻磁传感器按照平面形式组成阵列单元，每个所述巨磁阻磁传感器采用蜿蜒型电阻形式。