[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明提供一种在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。在本发明的蚀刻方法中，为了对第1区域进行蚀刻，执行一次以上的第1序列，然后，执行一次以上的第2序列。一次以上的第1序列中的各个序列和一次以上的第2序列中的各个序列包含：第1工序，在该第1工序中，在被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及第2工序，在该第2工序中，利用堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。第1区域被一次以上的第1序列中的各个序列蚀刻的量少于第1区域被一次以上的第2序列中的各个序列蚀刻的量。

主权项

1.一种蚀刻方法，其利用针对被处理体的等离子体处理来相对于由氮化硅构成的第2区域而选择性地对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻，其中，/n所述被处理体具有划分出凹部的所述第2区域、以将该凹部填埋且覆盖所述第2区域的方式设置的所述第1区域、以及设置在所述第1区域上的掩模，该掩模在所述凹部之上提供具有宽度比该凹部的宽度大的开口，/n该蚀刻方法包括：/n一次以上的第1序列，其是为了对所述第1区域进行蚀刻而执行的；以及/n一次以上的第2序列，其是为了对所述第1区域进一步进行蚀刻而在执行所述一次以上的第1序列之后执行的，/n所述一次以上的第1序列中的各个序列和所述一次以上的第2序列中的各个序列包含：/n第1工序，在该第1工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，从而在所述被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；以及/n第2工序，在该第2工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内生成非活性气体的等离子体，并利用所述堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对所述第1区域进行蚀刻，/n所述一次以上的第1序列是在包括使所述第2区域暴露时在内的期间内执行的，/n所述第1区域被所述一次以上的第1序列中的各个序列蚀刻的量少于所述第1区域被所述一次以上的第2序列中的各个序列蚀刻的量，/n在所述第1工序和所述第2工序之间执行第3工序，在该第3工序中，在容纳有所述被处理体的所述处理容器内生成含有含氧气体和非活性气体的处理气体的等离子体，从而使得在所述被处理体上形成的所述堆积物的量减少，/n其中，在所述第2区域暴露后，在该第2区域受到所述堆积物的保护的状态下对所述第1区域进行蚀刻。/n