[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其生产方法在审
| 申请号： | 201610018936.6 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105514237A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 戴俊;闫其昂;王明洋;李志聪;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种GaN基LED外延结构及其生产方法，涉及半导体光电技术领域。其外延结构自下而上依次为：衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、低温n型掺杂AlGaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层。所述低温n型掺杂AlGaN层位于n型掺杂GaN层和多量子阱有源层之间，能有效的抑制大电流下的电子溢出，提高量子阱中的电子和空穴分布的均匀性，增加其中电子空穴的辐射复合率，从而提高光输出功率，降低Droop效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 结构 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延结构，自下而上包括：衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层；其特征在于：在n型掺杂GaN层和多量子阱有源层之间设置低温n型掺杂AlGaN层。
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