[发明专利]等离子体处理设备与方法有效
| 申请号： | 201610018038.0 | 申请日： | 2009-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN105529238B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 古田学;崔永镇;崔寿永;朴范洙;约翰·M·怀特;苏希尔·安瓦尔;罗宾·L·泰内 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/452;C23C16/455;C23C16/509 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源经过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理设备，包括：处理腔室，所述处理腔室具有气体分配喷头和矩形背板；一或多个功率源，所述一或多个功率源在一或多个第一位置耦接至所述背板；一或多个气源，所述一或多个气源在三个其他位置耦接至所述背板，所述三个其他位置各自与所述一或多个第一位置分隔，其中所述三个其他位置之一置于第二位置，所述第二位置与所述背板的两个平行侧边之间有实质相等距离；一或多个远端等离子体源，所述一或多个远端等离子体源耦接至所述一或多个气源；一或多个气体供给块，所述一或多个气体供给块在所述三个其他位置耦接至所述背板；一或多个冷却块，所述一或多个冷却块耦接于所述一或多个远端等离子体源和所述气体供给块之间；一或多个RF扼流器，所述一或多个RF扼流器耦接至所述一或多个冷却块；及穿过所述处理腔室的第一壁的狭缝阀开口，其中所述第二位置配置为比所述一或多个第一位置更远离所述狭缝阀开口。
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