[发明专利]等离子体处理设备与方法

说明书

本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源经过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。

本申请是申请号为200980112599.5的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明实施例大致关于处理腔室，所述处理腔室的功率供应在与气体供应分隔位置处耦接至处理腔室。

背景技术

随着较大平板显示器与太阳能面板的需求持续增加，因此基板与处理腔室的尺寸必然得提高。随着处理腔室尺寸提高，有时需要较高的RF电流以补偿RF电流的消散(随着RF电流移动离开RF源而发生)。一种沉积材料于平板显示器或太阳能面板的基板上的方法是等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)。等离子体增强化学汽相沉积中，可透过喷头将处理气体导入处理腔室并由施加至喷头的RF电流点燃成等离子体。随着基板尺寸提高，施加至喷头的RF电流也对应地增加。随着RF电流的增加，气体经过喷头之前的气体过早分解以及喷头上方寄生等离子体形成的可能性提高。

因此，技艺中需要允许传送足够RF电流同时减少寄生等离子体形成的设备。

发明内容

本发明大致包括PECVD处理腔室，所述处理腔室具有RF功率源，该RF功率源在与气源分隔位置处耦接至背板。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源可通过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。

一实施例中，揭露等离子体处理设备。设备包括处理腔室，所述处理腔室具有气体分配板与大致矩形背板；一或多个功率源，在一或多个第一位置处耦接至背板；及一或多个气源，在三个其他位置处耦接至背板，三个其他位置各自与一或多个第一位置有所分隔。三个位置的第一个置于背板的两个平行侧边之间实质相等距离处。

另一实施例中，揭露等离子体增强化学汽相沉积设备。设备包括处理腔室，所述处理腔室具有穿过至少一壁的狭缝阀开口；及气体分配喷头，置于处理腔室中并与基板支撑件有所间隔。设备还包括置于气体分配喷头后的背板，所述背板和所述气体分配喷头有所间隔。背板可具有在三个位置穿过该背板的三个开口。可将三个位置的第一位置比其他两个位置更远于狭缝阀开口而配置。设备还可包括一或多个气源，在三个位置处耦接至背板；及RF功率源，在与三个位置有所间隔的位置处耦接至背板。

另一实施例中，揭露一方法。方法包括透过第一位置将处理气体导入腔室、点燃处理气体成等离子体、并沉积材料于基板上。方法还包括将清洁气体导入一或多个远端等离子体源、在一或多个远端等离子体源中点燃清洁气体成等离子体、并透过第一位置和至少一与第一位置分隔的其他位置由远端点燃的清洁气体等离子体将自由基流入腔室。

附图说明

为了更详细地了解本发明的上述特征，可参照实施例(某些描绘于附图中)来理解本发明简短概述于上的特定描述。然而，需注意附图仅描绘本发明的典型实施例而因此不被视为发明范围的限制因素，因为本发明可允许其他等效实施例。

图1是根据本发明一实施例耦合至处理腔室100的功率源102与气源104的概要图示。

图2A是根据本发明一实施例的处理腔室200的概要剖面图。

图2B是显示RF电流路径的图2A处理腔室200的概要剖面图。

图3是根据本发明一实施例的处理腔室300的背板302的概要等角图。

图4是根据本发明一实施例的远端等离子体源与处理腔室之间耦合的概要图示。