[发明专利]激光束退火装置和使用激光束退火装置制造显示装置的方法在审
| 申请号： | 201610016386.4 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106206362A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 秋秉权;安尚熏;郑炳昊;罗正均;李承桓;赵珠完;赵玹辰;奥列格·普鲁德尼科夫 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B29/06;C30B30/00;G02B27/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种激光束退火装置和使用激光束退火装置制造显示装置的方法。一种激光束退火装置包括第一激光束发射单元、第一分离单元、第一偏振单元和合并单元。第一激光束发射单元发射第一激光束。第一分离单元将从第一激光束发射单元发射的第一激光束分离成处于第一偏振态的第一主光束和处于第二偏振态的第二主光束。第一偏振单元通过将第一主光束的第一偏振态改变为第二偏振态输出具有第二偏振态并对应于第一主光束的第三主光束。合并单元将第二主光束和第三主光束彼此组合。 | ||
| 搜索关键词： | 激光束 退火 装置 使用 制造 显示装置 方法 | ||
【主权项】：
一种激光束退火装置，包括：发射第一激光束的第一激光束发射单元；将从所述第一激光束发射单元发射的所述第一激光束分离成处于第一偏振态的第一主光束和处于第二偏振态的第二主光束的第一分离单元；通过将所述第一主光束的所述第一偏振态改变为所述第二偏振态而输出具有所述第二偏振态并对应于所述第一主光束的第三主光束的第一偏振单元；和将所述第二主光束和所述第三主光束彼此合并的合并单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
