[发明专利]一种基于FPGA的NAND Flash容错系统有效
申请号: | 201610015050.6 | 申请日: | 2016-01-11 |
公开(公告)号: | CN105702300B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 张晓峰;史治国;陈积明 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G11C29/54 | 分类号: | G11C29/54;G11C29/56 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 邱启旺 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于FPGA的NAND Flash容错系统,包括Flash坏块管理子系统、USB通信子系统和上位机。Flash坏块管理子系统由FPGA和Flash阵列组成,通过查询Flash在spare area的标志位检测出厂坏块,查询读、写和擦除操作的返回状态检测损耗坏块,并记录所有坏块的地址。将Flash分为3个逻辑区域,分别为映射好块区、坏块区和信息存储区,并建立地址映射表,存储到信息存储区。FPGA作为核心控制器,通过USB通信子系统和上位机进行通信,可接收上位机发送的控制指令以及上传数据。通过上位机可以查询当前NAND Flash阵列的使用情况,包括好块区的空间大小、数据存储状态等,还可进行自动检测,更新地址映射表,并且可以读取Flash阵列中的存储数据以及将数据存储到Flash阵列中。 | ||
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【主权项】:
1.一种基于FPGA的NAND Flash容错系统,其特征在于,包括Flash坏块管理子系统、USB通信子系统和上位机;Flash坏块管理子系统由FPGA和NAND Flash阵列组成,通过查询Flash在spare area的标志位检测出厂坏块,查询读、写和擦除操作的返回状态检测损耗坏块,并记录所有坏块的地址;将Flash分为3个逻辑区域,分别为映射好块区、坏块区和信息存储区,并建立地址映射表,将地址映射表存储到信息存储区;FPGA作为核心控制器,通过USB通信子系统和上位机进行通信,接收上位机发送的控制指令以及上传数据;通过上位机能够查询当前NAND Flash阵列的使用情况,包括好块区的空间大小、数据存储状态,对当前NAND Flash阵列的使用情况进行自动检测,更新地址映射表,并且能够读取NAND Flash阵列中的存储数据以及将数据存储到NAND Flash阵列中;所述Flash坏块管理子系统还包括FPGA配置电路和电源模块;电源模块用于将供电电压稳定到FPGA、NAND Flash阵列、FPGA配置电路、USB通信子系统需要的额定电压;FPGA配置电路和FPGA相连;FPGA选用的是Xilinx Virtex V芯片族中的XC5VLX330,FPGA配置电路选用的配置芯片为Platform Flash XL系列下的XCF128XFT64C,选用40MHz晶振为FPGA配置电路提供配置时钟,FPGA采用16位并行总线配置,配置方式选用从并配置,1s之内完成系统配置;NAND Flash阵列由16块Flash芯片组成,Flash芯片采用美光公司的NAND Flash系列下的MT29F8G16;FPGA和MT29F8G16通过8根控制信号线相连,分别为CLE, ALE, CE, WE, RE, WP, R/B和一个16位的IO口;CLE是命令锁存信号,ALE是地址锁存信号,CE是片选信号,WE是写使能信号,RE是读使能信号,WP是写保护信号,R/B是状态信号(空或忙);16位的IO口为地址、数据和命令时分复用总线;所述Flash坏块管理子系统对Flash坏块的容错分为坏块检测、逻辑区域的划分和地址映射表的更新;开始坏块检测时,通过FPGA遍历Flash的所有块,查询每个块第一页第一个512字节对应spare area的第6个byte,若为非0xff,则为出厂坏块;再对好块分别进行擦除、写入和读取操作,若擦除后写入和读取的数据一致,则标记为好块,否则标记为坏块;然后,将每块Flash划分为映射好块区、坏块区和信息存储区这3个逻辑区域,信息存储区从好块区选取;检测完毕后,更新地址映射表,将所有好块的物理地址映射到好块区,所有坏块的物理地址映射到坏块区,并将地址映射表存储到信息存储区。
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