[发明专利]一种侦测接触孔缺陷的方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种侦测接触孔缺陷的方法，通过利用光学关键尺寸机台量测接触孔内残留物的高度和接触孔的底部CD判断接触孔是否具有导通缺陷和形貌缺陷，然后通过缺陷处理软件加以处理，来判断接触孔制程工艺问题，从而在接触孔出现问题就能够立即发现，进而达到影响最小化。

主权项

1.一种侦测接触孔缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一设置有待测PAD和标准PAD的半导体结构，且每个所述PAD上均设置有若干接触孔；对所述待测PAD的接触孔内的残留物的高度进行量测以获取第一高度值，并将所述第一高度值与第一预设值相比较，若所述第一高度值大于所述第一预设值，则判断所述接触孔具有导通缺陷，若所述第一高度值不大于所述第一预设值，则进行步骤S3；对所述标准PAD的接触孔内的残留物的高度进行量测以获取第二高度值，并将所述第一高度值与所述第二高度值相比较，若所述第一高度值与所述第二高度值之差大于第二预设值，则判断所述接触孔具有导通缺陷，若所述第一高度值与所述第二高度值之差不大于所述第二预设值，则判断所述接触孔不具有导通缺陷；其中，根据工艺需求设定所述第一预设值和所述第二预设值，且所述第一预设值大于所述第二预设值；所述第一预设值为20～30埃；形成所述半导体结构的具体步骤为：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底之上形成介质层；刻蚀所述介质层以形成将部分所述半导体衬底的上表面予以暴露的若干接触孔。