[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供上部形成台阶状的突出部分的半导体衬底；依次形成栅极介电层、牺牲氮化物层、牺牲氧化层和仅遮蔽突出部分之间部分的第一光刻胶层；依次蚀刻未被遮蔽的牺牲氧化层和牺牲氮化物层，直至露出栅极介电层；去除第一光刻胶层，形成仅遮蔽位于器件源区的突出部分上的栅极介电层的第二光刻胶层；蚀刻未被遮蔽的栅极介电层，直至露出半导体衬底；去除第二光刻胶层，在露出的部分上形成第一氧化层；在牺牲氮化物层的侧壁形成牺牲侧墙；去除牺牲氧化层及未被遮蔽的第一氧化层，以形成开口；形成厚度大于所述开口深度的第二氧化层，以填充所述开口。根据本发明，可以避免牺牲掩膜的残留。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成图案化的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，在所述半导体衬底的上部形成台阶状的突出部分；去除所述掩膜层，在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层、牺牲氮化物层、牺牲氧化层和仅遮蔽所述突出部分之间部分的第一光刻胶层；依次蚀刻未被所述第一光刻胶层遮蔽的所述牺牲氧化层和所述牺牲氮化物层，直至露出所述栅极介电层；去除所述第一光刻胶层，形成仅遮蔽位于器件源区的所述突出部分上的栅极介电层的第二光刻胶层；蚀刻未被所述第二光刻胶层遮蔽的位于器件漏区的所述栅极介电层，直至露出所述半导体衬底；去除所述第二光刻胶层，在露出的所述半导体衬底以及栅极介电层上形成第一氧化层；在所述牺牲氮化物层的侧壁形成牺牲侧墙；去除所述牺牲氧化层以及未被所述牺牲侧墙与所述牺牲氮化物层遮蔽的所述第一氧化层，以在位于器件漏区和源区的所述第一氧化层中形成开口；形成厚度大于所述开口深度的第二氧化层，以填充所述开口。