[发明专利]一种量子点电致发光二极管及其制备方法、显示器

摘要

本申请公开了一种量子点电致发光二极管及其制备方法、显示器，用以阻挡QLED中的电子注入，增强QLED中载流子注入平衡，同时改善QLED中光的输出效率以及器件抵抗水、氧侵蚀的能力，提高QLED亮度、工作效率及寿命。本申请提供的一种QLED，包括第一电极层和第二电极层、设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间的空穴传输层、设置在所述空穴传输层和所述第二电极层之间的量子点发光层、设置在所述量子点发光层和所述第二电极层之间的电子传输层、设置在所述电子传输层和所述第二电极层之间的电子缓冲层。

主权项

一种量子点电致发光二极管QLED，其特征在于，包括：第一电极层和第二电极层、设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间的空穴传输层、设置在所述空穴传输层和所述第二电极层之间的量子点发光层、设置在所述量子点发光层和所述第二电极层之间的电子传输层、设置在所述电子传输层和所述第二电极层之间的电子缓冲层；所述电子缓冲层是采用真空蒸镀或电子束热蒸镀的方法制备得到的；所述电子缓冲层的材料包括下列材料的一种或多种：MgF2、AlF3、SiO2。