[发明专利]鳍型装置系统和方法有效
申请号: | 201610006469.5 | 申请日: | 2010-09-01 |
公开(公告)号: | CN105655336B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 宋森秋;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;韩秉莫 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示一种鳍型装置系统和方法。在特定实施例中,揭示一种制造晶体管的方法,其包含在具有表面的衬底内形成晶体管的栅极,以及在所述衬底内形成内埋氧化物BOX层,所述BOX层在第一BOX层面处邻近于所述栅极。所述方法还包含形成凸起的源极‑漏极通道(“鳍”),其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的所述表面延伸,且其中所述鳍具有邻近于所述BOX层的第二BOX层面的第一鳍面。 | ||
搜索关键词: | 装置 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造晶体管的方法,所述方法包括:/n在衬底内形成晶体管的第一栅极;/n在所述衬底内形成内埋氧化物层,所述内埋氧化物层具有邻近于所述第一栅极的第一面;以及/n形成具有凸起的细长源极-漏极通道的鳍,其中所述鳍的至少一部分从所述衬底的表面延伸,且其中所述鳍具有邻近于所述内埋氧化物层的第二面的第一鳍面;/n形成第二栅极,所述第二栅极在第二鳍面处邻近于所述鳍,其中所述第二栅极通过第一氧化层与所述第二鳍面分离;以及/n形成第三栅极,所述第三栅极在第三鳍面处邻近于所述鳍,其中所述第三栅极通过第二氧化层与所述第三鳍面分离。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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