[发明专利]掩膜图案的形成方法、薄膜晶体管及形成方法、显示装置

摘要

本发明提供了一种掩膜图案的形成方法、薄膜晶体管及形成方法、显示装置，涉及显示技术领域，该掩膜图案的形成方法只需采用普通掩膜板即可形成厚度不均的掩膜图案，从而避免了采用半色调掩膜板。一种掩膜图案的形成方法，包括：在衬底上形成负性光刻胶；在无氧环境中，利用第一普通掩膜板对负性光刻胶进行第一次曝光，以使得负性光刻胶的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光；在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对负性光刻胶进行第二次曝光，以使得负性光刻胶的半固化部被曝光、去除部不被曝光；去除掉未固化的负性光刻胶，形成掩膜图案。本发明适用于掩膜图案的制作。

主权项

1.一种厚度不均的掩膜图案的形成方法，其特征在于，包括：在衬底上形成负性光刻胶，且所述负性光刻胶具有以下特性：在无氧环境中经过曝光后，被曝光部分能够固化；在有氧环境中经过曝光后，被曝光部分的表面不能固化，除表面外的其他被曝光部分能够固化；在无氧环境中，利用第一普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第一次曝光，以使得所述负性光刻胶的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光；在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光，具体包括：所述第二普通掩膜板和所述第一普通掩膜板为同一掩膜板；在有氧环境中，保持所述第一普通掩膜板与所述负性光刻胶的位置对应关系并调整曝光参数，利用所述第一普通掩膜板对所述负性光刻胶进行第二次曝光，以使得所述负性光刻胶的所述半固化部被曝光、所述去除部不被曝光；所述调整曝光参数具体包括：调整曝光机发出光线的角度以使得所述负性光刻胶接受光线照射的范围增大、增加曝光量、增加所述掩膜板与所述衬底之间的距离中的任意一种或其组合；去除掉未固化的所述负性光刻胶，形成掩膜图案。