[发明专利]一种减少晶体硅太阳能电池片衰减的方法

摘要

本发明公开了一种减少晶体硅太阳能电池片衰减的方法，包括如下步骤：(1)在电池片的正面或/和背面沉积薄膜；(2)将至少2片所述电池片按正负极性循序层叠在一起，组成电池片组；(3)将步骤(2)的电池片组通入正向直流电流，电流密度为40~500mA/cm2，将电池片组的温度稳定在120~220℃；通电30~180分钟后，停止通电；(4)将电池片组冷却至室温；(5)进行光致衰减，即可得到晶体硅太阳能电池片。试验证明，采用本发明的方法前后获得的电池片的衰减比例分别为4.19%和1.76%，可见本发明的方法大大减缓了电池片的光致衰减现象，取得了意想不到的效果。

主权项

1.一种减少晶体硅太阳能电池片衰减的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在电池片的正面或/和背面沉积薄膜；所述电池片的正面沉积氮化硅薄膜，所述电池片的背面沉积氮化硅薄膜和氧化铝薄膜中的一种或两种；(2) 将至少2 片所述电池片按正负极性循序层叠在一起，组成电池片组；(3) 将步骤(2)的电池片组通入正向直流电流，电流密度为40～500mA/cm2，将电池片组的温度稳定在120～220℃；通电30～180 分钟后，停止通电；(4) 将电池片组冷却至室温，即可得到晶体硅太阳能电池片。