[发明专利]一种减少晶体硅太阳能电池片衰减的方法

权利要求书

1.一种减少晶体硅太阳能电池片衰减的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1) 在电池片的正面或/和背面沉积薄膜；

所述电池片的正面沉积氮化硅薄膜，所述电池片的背面沉积氮化硅薄膜和氧化铝薄膜中的一种或两种；

(2) 将至少2 片所述电池片按正负极性循序层叠在一起，组成电池片组；

(3) 将步骤(2)的电池片组通入正向直流电流，电流密度为40～500mA/cm2，将电池片组的温度稳定在120～220℃；通电30～180 分钟后，停止通电；

(4) 将电池片组冷却至室温，即可得到晶体硅太阳能电池片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，薄膜的沉积方法为等离子气相沉积或者原子层沉积。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，将5～50片电池片层叠在一起，形成电池片组。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，将步骤(2)的电池片组通入正向直流电流，电流密度为100～200mA/cm2，将电池片组的温度稳定在160～180℃；通电60～100 分钟后，停止通电。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(4)中，自然冷却，将电池片组冷却至室温。