[发明专利]反应管、衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201580081860.5 | 申请日： | 2015-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107851578B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 吉田秀成;谷山智志;中田高行 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够吹扫隔热区域，而不对处理区域产生不良影响的技术。在内部具有处理室，所述处理室包括处理衬底的处理区域和位于所述处理区域的下方的位置的隔热区域，具有第一排气部，其将所述处理区域的气氛排气；和第二排气部，其形成于在高度方向上与隔热区域重合的位置、将所述隔热区域的气氛排气。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
反应管，所述反应管在内部具有处理室，所述处理室包括处理衬底的处理区域和位于所述处理区域的下方的隔热区域，所述反应管具有：第一排气部，所述第一排气部将所述处理区域的气氛排气，和第二排气部，所述第二排气部形成于在高度方向上与所述隔热区域重合的位置、将所述隔热区域的气氛排气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
