[发明专利]带台阶晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 201580081529.3 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN107851565A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 武田直幸 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B1/00;B24B7/22;B24B9/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供能够在显影后不残留抗蚀剂的带台阶晶片及其制造方法。本发明涉及的带台阶晶片的一个主面的中央部薄、外周部厚而具有台阶，该带台阶晶片的特征在于，台阶包含曲率半径大于或等于300μm而小于或等于1800μm的曲面。 | ||
| 搜索关键词： | 台阶 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带台阶晶片，其一个主面的中央部薄、外周部厚而具有台阶，该带台阶晶片的特征在于，所述台阶包含曲率半径大于或等于300μm而小于或等于1800μm的曲面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
