[发明专利]高效率半交叉耦合去耦电容器有效
| 申请号： | 201580080820.9 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN108141214B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 阿尔佛雷德·杨;罗恩·科汉 | 申请（专利权）人： | 安培计算有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 去耦电容器电路设计在不牺牲面积效率的情况下促进了高工作频率。为了解除高工作频率和面积效率的有时相反的设计标准，以半交叉耦合(HCC)的方式来连接p沟道场效应晶体管(PFET)和n沟道场效应晶体管。然后由至少一个面积有效电容(AEC)器件来补充HCC电路。半交叉耦合晶体管满足了高频设计要求，同时AEC器件满足了高面积效率要求。该设计消除了一些常规的DCAP设计中工作频率和面积效率之间固有的不期望的折中。 | ||
| 搜索关键词： | 面积效率 半交叉 高工作频率 去耦电容器 耦合 耦合晶体管 电路设计 高频设计 工作频率 设计标准 有效电容 常规的 高效率 电路 期望 补充 | ||
【主权项】：
1.一种去耦电容器电路，包括：第一p沟道场效应晶体管PFET；第一n沟道场效应晶体管NFET；以及至少一个电容器件，其中所述第一PFET的第一PFET源极和第一PFET主体连接到电压源，所述第一NFET的第一NFET源极和第一NFET主体接地，所述至少一个电容器件连接到所述第一PFET的第一PFET栅极或所述第一NFET的第一NFET栅极中的至少一个，并且所述至少一个电容器件的包含使得在不改变所述去耦电容器电路的频率响应的情况下增加了所述去耦电容器电路的面积效率；其中，所述第一PFET的第一PFET漏极连接到所述第一NFET的第一NFET栅极，以及所述第一NFET的第一NFET漏极连接到所述第一PFET的第一PFET栅极。
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