[发明专利]在牺牲核上经由包覆的晶体管鳍形成有效
| 申请号： | 201580080367.1 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107615490B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | G.A.格拉斯;A.S.墨菲;D.B.奥伯廷;T.加尼;J.T.卡瓦利罗斯;B.朱-龚;C.S.莫哈帕特拉;K.詹布纳坦;G.德维;W.拉克马迪 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李啸;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于定制基于鳍的晶体管装置以提供范围广泛的沟道配置和/或材料系统，并且在相同集成电路管芯内的技术。根据一实施例，包覆并且随后去除牺牲鳍，由此留下包覆层作为一对独立的鳍。一旦牺牲鳍区域被适合的绝缘体回填，得到的结构便是绝缘体上鳍。通过使用此类核上包覆方案，新鳍能够以任何材料配置。得到的绝缘体上鳍例如在消除或以其它方式降低子沟道源极到漏极（或漏极到源极）泄露电流的同时对良好的栅极控制是有利的。另外，大幅降低了来自沟道到衬底的寄生电容。牺牲鳍能够被视为是核，并且能够例如使用原生于衬底的材料或允许低缺陷异类包覆材料组合的替换材料来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲 经由 晶体管 形成 | ||
【主权项】：
一种集成电路装置，包括：衬底，具有从所述衬底伸出的多个被覆盖鳍和延伸到所述衬底的多个被覆盖凹陷中的至少一个，每个被覆盖鳍和/或凹陷由绝缘层覆盖；以及在每个被覆盖鳍和/或凹陷上方的鳍对，每个鳍对包括半导体材料并且从所述绝缘层伸出，其中所述绝缘层的厚度将每个鳍对与其下层被覆盖鳍或凹陷分开。
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