[发明专利]用于半导体器件的面积缩放的竖直集成方案和电路元件架构有效
| 申请号： | 201580080106.X | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN107924943B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | R·米恩德鲁;P·莫罗;R·库马尔;C·E·韦伯;S·金;S·M·塞亚;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于半导体器件的面积缩放的竖直集成方案和电路元件架构。在示例中，一种反相器结构包括竖直地分开为上部区域和下部区域的半导体鳍状物。包括用于控制半导体鳍状物的上部区域的第一多个栅极结构。包括用于控制半导体鳍状物的下部区域的第二多个栅极结构。第二多个栅极结构具有与第一多个栅极结构的导电类型相反的导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 面积 缩放 竖直 集成 方案 电路 元件 架构 | ||
【主权项】：
一种反相器结构，包括：半导体鳍状物，其竖直地分开为上部区域和下部区域；第一多个栅极结构，其用于控制所述半导体鳍状物的所述上部区域；以及第二多个栅极结构，其用于控制所述半导体鳍状物的所述下部区域，所述第二多个栅极结构具有与所述第一多个栅极结构的导电类型相反的导电类型。
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