[发明专利]使用穿硅过孔栅极的竖直晶体管有效
| 申请号： | 201580080104.0 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN107660312B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | X·杨;J-Y·林;K·弗阿;N·尼迪;Y·W·陈;K-h·施;W·M·哈菲兹;C·蔡 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了使用穿硅过孔作为栅极的竖直晶体管。在一个示例中，结构包括衬底；衬底中的过孔，过孔被填充有导电材料并具有电介质内衬；耦合到过孔的深阱；耦合到深阱的、具有漏极接触部的漏极区；位于漏极区与过孔之间的、具有源极接触部的源极区；以及位于过孔之上的栅极接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 栅极 竖直 晶体管 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：衬底；位于所述衬底中的过孔，所述过孔被填充有导电材料并具有电介质内衬；耦合到所述过孔的深阱；耦合到所述深阱的、具有漏极接触部的漏极区；位于所述漏极区与所述过孔之间的、具有源极接触部的源极区；以及位于所述过孔之上的栅极接触部。
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