[发明专利]用于静电放电切换忆阻元件的读取电路在审
| 申请号： | 201580079008.4 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107466417A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | B.布查南;葛宁;R.J.奥勒特塔 | 申请（专利权）人： | 慧与发展有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;G11C13/00;G11C29/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 王洪斌,陈岚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在本文提供的示例中，一种装置具有耦合到集成电路的引脚的忆阻元件，其中忆阻元件响应于所述引脚处的静电放电（ESD）事件而从第一电阻值范围内的第一电阻切换到第二电阻值范围内的第二电阻。装置还具有耦合到忆阻元件以确定忆阻元件的电阻在第一还是第二电阻值范围中的读取电路，其中读取电路包括第一晶体管。另外，读取电路与忆阻元件之间的耦合不包括用于来自ESD事件的电流去到第一晶体管的栅极端的直接路径。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静电 放电 切换 元件 读取 电路 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：耦合到集成电路的引脚的忆阻元件，其中忆阻元件响应于所述引脚处的静电放电（ESD）事件而从第一电阻值范围内的第一电阻切换到第二电阻值范围内的第二电阻；以及耦合到忆阻元件的读取电路，用以确定忆阻元件的电阻在第一还是第二电阻值范围中，其中读取电路包括第一晶体管，其中读取电路与忆阻元件之间的耦合不包括用于来自ESD事件的电流去到第一晶体管的栅极端的直接路径。
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