[发明专利]用于静电放电切换忆阻元件的读取电路

权利要求书

1.一种装置，包括：

耦合到集成电路的引脚的忆阻元件，其中忆阻元件响应于所述引脚处的静电放电（ESD）事件而从第一电阻值范围内的第一电阻切换到第二电阻值范围内的第二电阻；以及

耦合到忆阻元件的读取电路，用以确定忆阻元件的电阻在第一还是第二电阻值范围中，其中读取电路包括第一晶体管，

其中读取电路与忆阻元件之间的耦合不包括用于来自ESD事件的电流去到第一晶体管的栅极端的直接路径。

2.权利要求1所述的装置，其中读取电路与忆阻元件之间的耦合包括用于来自ESD事件的电流去到第一晶体管的掺杂剂扩散区的直接路径。

3.权利要求1所述的装置，其中读取电路包括：

提供参考电流的电流源；

复制要经过忆阻元件的参考电流的电流镜；以及

比较跨忆阻元件的电压降与参考电压的电压比较器，其中忆阻元件的电阻在第一电阻值范围还是第二电阻值范围中的确定是基于相对于参考电压的电压降。

4.权利要求1所述的装置，还包括耦合到忆阻元件以将忆阻元件的电阻设置或重置到特定电阻的写入电路，

其中写入电路包括第二晶体管，并且

进一步其中写入电路与忆阻元件之间的耦合不包括用于来自ESD事件的电流去到第二晶体管的栅极端的直接路径。

5.权利要求4所述的装置，

其中忆阻元件具有第一忆阻端和第二忆阻端，

其中写入电路包括具有第一重置栅极端、第一重置源极端和第一重置漏极端的第一写入重置晶体管；以及具有第二重置栅极端、第二重置源极端和第二重置漏极端的第二写入重置晶体管，

其中第一重置栅极端耦合到第一电压源，并且第二重置栅极端耦合到第二电压源，

其中第一忆阻端耦合到第一重置漏极端，

其中第二忆阻端耦合到第二重置漏极端，

其中第一重置源极端耦合到第三电压源，

其中第二重置源极端耦合到地，并且

其中当写入电路用于重置忆阻元件的电阻时，电流从第一重置源极端流动，通过第一写入重置晶体管到第一忆阻端，通过忆阻元件到第二忆阻端，通过第二写入重置晶体管到耦合到地的第二重置源极端。

6.权利要求4所述的装置，

其中写入电路包括具有第一设置栅极端、第一设置源极端和第一设置漏极端的第一写入设置晶体管；以及具有第二设置栅极端、第二设置源极端和第二设置漏极端的第二写入设置晶体管，

其中第一设置栅极端耦合到第一电压源，并且第二设置栅极端耦合到第二电压源，

其中第二忆阻端耦合到第一设置漏极端，

其中第一忆阻端耦合到第二设置漏极端，

其中第一设置源极端耦合到第三电压源，

其中第二设置源极端耦合到地，并且

其中当写入电路用于设置忆阻元件的电阻时，电流从第一设置源极端流动，通过第一写入设置晶体管到第二忆阻端，通过忆阻元件到第一忆阻端，通过第二写入设置晶体管到耦合到地的第二设置源极端。

7.权利要求1所述的装置，还包括将来自附加ESD事件的能量从忆阻元件分流开的分流电路，其中读取电路的阻抗大于分流电路的阻抗。

8.权利要求1所述的装置，其中第一电阻值范围小于第二电阻值范围。

9.一种方法，包括：

确定耦合到第一芯片上的引脚的忆阻元件的第一电阻；

串行地确定耦合到第一芯片上的相应引脚的其它忆阻元件的随后电阻，

其中每一个忆阻元件响应于相应引脚处的静电放电（ESD）事件而从电阻值范围内的第一电阻切换到第二电阻值范围内的第二电阻。

10.权利要求9所述的方法，其中确定忆阻元件的第一电阻和串行地确定其它忆阻元件的随后电阻使用串行测试协议来执行。

11.权利要求9所述的方法，还包括如果给定忆阻元件的电阻在第二电阻值范围内，将每一个忆阻元件的电阻设置到第一电阻值范围内的电阻。

12.权利要求9所述的方法，还包括：

串行地确定耦合到第二芯片上的相应引脚的附加忆阻元件的附加电阻。