[发明专利]喷嘴和液体供应装置有效
申请号: | 201580077808.2 | 申请日: | 2015-09-08 |
公开(公告)号: | CN107430986B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 寺田贵洋;田中正幸;加藤视红磨;出浦香织;町田守宽 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B05C5/00;B05C11/08 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王丽军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文描述的实施方式总体上涉及喷嘴和液体供应装置。实施方式要解决的问题是提供具有防止滴液的新颖结构的喷嘴和液体供应装置。根据实施方式,喷嘴包括本体。本体设置有:供应口,液体被供应至供应口;排出口,液体从排出口向下排出;以及流道,其在供应口与排出口之间延伸。流道包括存储部和排气部。存储部包括:第一部分,液体通过第一部分向下流到排出口;以及第二部分,其设置在第一部分的下游,液体通过第二部分向上流到排出口。排气部能够在液体没有从排出口排出而被存储在存储部中时将第二部分的上游的气体排出。存储部包括连接第一部分和第二部分的第三部分。排气部包括通向流道中的第三部分的上游侧的部分和下游侧的部分的旁路通道。 | ||
搜索关键词: | 喷嘴 液体 供应 装置 | ||
【主权项】:
一种喷嘴,包括:本体,其设置有:供应口,液体被供应至所述供应口;排出口,所述液体从所述排出口向下排出;以及流道,其在所述供应口与所述排出口之间延伸,其中,所述流道包括:存储部,其包括:第一部分,所述液体通过所述第一部分向下流到所述排出口;以及第二部分,其设置在所述第一部分的下游,所述液体通过所述第二部分向上流到所述排出口;以及排气部,其能够在所述液体没有从所述排出口排出而被存储在所述存储部中时将所述第二部分的上游的气体排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造