[发明专利]喷嘴和液体供应装置有效
申请号: | 201580077808.2 | 申请日: | 2015-09-08 |
公开(公告)号: | CN107430986B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 寺田贵洋;田中正幸;加藤视红磨;出浦香织;町田守宽 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B05C5/00;B05C11/08 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王丽军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴 液体 供应 装置 | ||
本文描述的实施方式总体上涉及喷嘴和液体供应装置。实施方式要解决的问题是提供具有防止滴液的新颖结构的喷嘴和液体供应装置。根据实施方式,喷嘴包括本体。本体设置有:供应口,液体被供应至供应口;排出口,液体从排出口向下排出;以及流道,其在供应口与排出口之间延伸。流道包括存储部和排气部。存储部包括:第一部分,液体通过第一部分向下流到排出口;以及第二部分,其设置在第一部分的下游,液体通过第二部分向上流到排出口。排气部能够在液体没有从排出口排出而被存储在存储部中时将第二部分的上游的气体排出。存储部包括连接第一部分和第二部分的第三部分。排气部包括通向流道中的第三部分的上游侧的部分和下游侧的部分的旁路通道。
相关申请的交叉引用
本申请是2015年9月8日提交的、以引用的方式并入本文的国际申请No.PCT/JP2015/075511的国家阶段申请,并且该申请要求2015年3月18日提交的日本专利申请No.2015-054830的优选权的权益,该日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本文描述的实施方式总体上涉及喷嘴和液体供应装置。
背景技术
传统上,已知通过喷嘴将化学液体从上方排出到诸如晶片等工件上的液体供应装置。
专利文献1:日本未审查专利公开No.8-281184A
专利文献2:日本未审查专利公开No.2005-44836A
专利文献3:日本未审查专利公开No.10-119775A
上述液体供应装置可能在排出化学液体之后将化学液体从喷嘴滴到工件上,导致工件的质量劣化。因此,获得具有防止滴液的新颖结构的喷嘴是有用的。
发明内容
实施方式要解决的问题是提供具有防止滴液的新颖结构的喷嘴和液体供应装置。
根据实施方式,喷嘴包括本体。本体设置有:供应口,液体被供应至供应口;排出口,液体从排出口向下排出;以及流道,其在供应口与排出口之间延伸。流道包括存储部和排气部。存储部包括:第一部分,液体通过第一部分向下流到排出口;以及第二部分,其设置在第一部分的下游,液体通过第二部分向上流到排出口。排气部能够在液体没有从排出口排出而被存储在存储部中时将第二部分的上游的气体排出。存储部包括连接第一部分和第二部分的第三部分。排气部包括旁路通道,旁路通道通向流道中的第三部分的上游侧的部分和下游侧的部分。
附图说明
图1是根据第一实施方式的化学液体涂覆装置的示意图。
图2是根据第一实施方式的喷嘴的截面图。
图3是根据第一实施方式的管的一部分的截面图。
图4是根据第二实施方式的喷嘴的截面图。
图5是根据第二实施方式的喷嘴的截面图,此时液体存储在排气部中。
图6是根据第三实施方式的喷嘴的截面图。
图7是根据第三实施方式的喷嘴的截面图,此时液体存储在排气部中。
图8是根据第四实施方式的喷嘴的截面图。
图9是根据第五实施方式的喷嘴的截面图。
图10是沿线X-X截取的图9的截面图。
图11是根据第六实施方式的喷嘴的截面图。
图12是根据第七实施方式的喷嘴的截面图。
图13是根据第八实施方式的喷嘴的截面图。
图14是根据第九实施方式的喷嘴的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造