[发明专利]集成电路（IC）衬底的选择性金属化有效
| 申请号： | 201580077587.9 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107408506B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | B.C.马林;T.戈什达斯蒂达尔;D.塞内维拉特恩;李勇刚;S.查瓦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;张涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例描述了集成电路（IC）衬底的选择性金属化。在一个实施例中，一种集成电路（IC）衬底可以包括：介电材料；以及具有多面体形状的金属晶体，其分散在所述介电材料中并且与配体键合，所述配体在被暴露于所述激光时烧蚀，以使得具有经烧蚀配体的金属晶体被活化以提供用于选择性无电镀金属沉积的催化剂。可以描述和/或要求保护其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 ic 衬底 选择性 金属化 | ||
【主权项】：
一种集成电路（IC）衬底，包括：介电材料；以及具有多面体形状的金属晶体，其分散在所述介电材料中并且与配体键合，所述配体要在被暴露于激光时烧蚀，以使得具有经烧蚀配体的金属晶体被活化以提供用于选择性无电镀金属沉积的催化剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
