[发明专利]周边曝光装置有效
| 申请号： | 201580074910.7 | 申请日： | 2015-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN107210198B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 武田直幸;久我正一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种周边曝光装置，其用于对半导体基板(100)的外周部进行曝光，该周边曝光装置具有：光源(1)，其设置为能够对外周部照射光；以及反射镜(2)，其具有反射面(2A)，该反射面(2A)配置为沿与从光源(1)照射的光的光轴交叉的方向进行延伸。反射镜(2)设置为在对半导体基板(100)的外周部进行曝光时，在半导体基板(100)的径向上位于半导体基板(100)的中心(C)与外周部之间。 | ||
| 搜索关键词： | 周边 曝光 装置 | ||
【主权项】：
一种周边曝光装置，其用于对半导体基板的外周部进行曝光，该周边曝光装置具有：光源，其设置为能够对所述外周部照射光；以及反射镜，其具有反射面，该反射面配置为沿与从所述光源照射的所述光的光轴交叉的方向进行延伸，所述反射镜设置为在对所述半导体基板的所述外周部进行曝光时，在所述半导体基板的径向上位于所述半导体基板的中心与所述外周部之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
